2Т812А транзистор N-P-N

Тип корпуса КТ-9

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 700 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 700 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000 (17000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (50) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>5
Обратный ток коллектора <=5000 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <2.5 дБ